深圳明佳達電子有限公司 供應(yīng)WeEn碳化硅產(chǎn)品：SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊深圳明佳達電子有限公司作為中國電子元器件領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，始終秉承“質(zhì)量第一、客戶至上”的經(jīng)營理念，持續(xù)提升產(chǎn)品質(zhì)量與服務(wù)標準，為日益增長的客戶群體提供高品質(zhì)電子元器件供應(yīng)服…
深圳明佳達電子有限公司 供應(yīng)WeEn碳化硅產(chǎn)品：SiC二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊
深圳明佳達電子有限公司作為中國電子元器件領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商，始終秉承“質(zhì)量第一、客戶至上”的經(jīng)營理念，持續(xù)提升產(chǎn)品質(zhì)量與服務(wù)標準，為日益增長的客戶群體提供高品質(zhì)電子元器件供應(yīng)服務(wù)。
主要產(chǎn)品包括：5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)IC、藍牙IC、車聯(lián)網(wǎng)IC、汽車級IC、通信IC、人工智能IC、存儲IC、傳感器IC、微控制器IC、收發(fā)器IC、以太網(wǎng)IC、WiFi芯片、無線通信模塊、連接器及其他電子元件。
碳化硅
碳化硅（SiC）是一種廣泛應(yīng)用于中高壓功率組件的半導體材料。這得益于其固有的寬禁帶和高熱導率特性。
SiC二極管
WeEn-semi SiC二極管提供650V和1200V平臺，采用小型芯片尺寸和150微米薄晶圓，以實現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)品競爭力。WeEn 第六代 SiC 肖特基二極管通過優(yōu)化肖特基接觸與 PN 結(jié)面積的比率，實現(xiàn)超低正向電壓（典型值 1.26V），并通過優(yōu)化 EPi 層摻雜濃度和晶圓減薄工藝，提供極低的導通電阻。WeEn 的創(chuàng)新 MPS 結(jié)構(gòu)顯著提升了電流沖擊能力。先進的銀燒結(jié)技術(shù)實現(xiàn)了產(chǎn)品性能與可靠性的完美結(jié)合。
碳化硅 MOSFET
碳化硅 MOSFETWeEn-semi 的第二代平面柵極碳化硅 MOSFET 以 12mΩ/1200V 的晶圓設(shè)計為代表，通過優(yōu)化關(guān)鍵參數(shù)（如 JFET 寬度和源極接觸面積寬度）、采用更小的單元尺寸，并結(jié)合先進的碳化硅晶圓減薄技術(shù)，
碳化硅功率模塊
WeEn 的碳化硅功率模塊產(chǎn)品包括采用半橋和全橋拓撲結(jié)構(gòu)的 PressFit 模塊，以及集成智能驅(qū)動器的系統(tǒng)級解決方案。這些模塊將多個 SiC 芯片集成到優(yōu)化封裝中，充分利用碳化硅材料的高頻和高效率優(yōu)勢，同時簡化客戶系統(tǒng)設(shè)計。
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