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產(chǎn)品說明:RF Mosfet 48 V 50 mA 2.496GHz ~ 2.69GHz 17.7dB 15W 6-PDFN (7x6.5)
封裝:DFN-6產(chǎn)品說明:750 W連續(xù)波,700-1300 MHz,50 V LDMOS射頻功率晶體管
封裝:NI-1230-4S產(chǎn)品說明:750 W連續(xù)波,700-1300 MHz,50 V LDMOS射頻功率晶體管
封裝:NI-1230-4H產(chǎn)品說明:N 溝道增強(qiáng)型側(cè)向 MOSFET
封裝:ACP-1230S-4L2S產(chǎn)品說明:A5G18H610W19N 1805–1880MHz,85W平均值,48V Airfast?射頻功率GaN晶體管
封裝:OM- 780- 4S4S產(chǎn)品說明:N 溝道增強(qiáng)型側(cè)向 MOSFET
封裝:ACP-1230S-4L2S產(chǎn)品說明:N 溝道增強(qiáng)型側(cè)向 MOSFET
封裝:ACP-1230S-4L2S產(chǎn)品說明:N 溝道增強(qiáng)型側(cè)向 MOSFET
封裝:ACP-1230S-4L2S產(chǎn)品說明:1805-1880 MHz,71 W平均值,28 V Airfast? LDMOS射頻功率晶體管
封裝:ACP-1230S-4L2S產(chǎn)品說明:728-960 MHz,2 W平均值,48 V Airfast? LDMOS射頻功率晶體管
封裝:24-PQFN-EP產(chǎn)品說明:3400-3600 MHz,7.6 W平均值,48 V Airfast?射頻功率GaN晶體管
封裝:DFN-6產(chǎn)品說明:射頻 Mosfet 48 V 40 mA 100MHz ~ 2.69GHz 13.9dB 8W 6-PDFN(7x6.5)
封裝:6-LDFN產(chǎn)品說明:射頻 Mosfet 48 V 688 mA 720MHz ~ 960MHz 18.9dB 120W OM-1230-4L
封裝:OM-1230-4L產(chǎn)品說明:快速射頻功率 LDMOS 晶體管,720-960 MHz,平均 107 W,48 V
封裝:OM-780-4產(chǎn)品說明:射頻 Mosfet 48 V 400 mA 720MHz ~ 960MHz 19.7dB 53dBm OM-780G-4L
封裝:OM-780G-4L產(chǎn)品說明:射頻 Mosfet 48 V 700 mA 595MHz ~ 851MHz 17.5dB 120W OM-1230-4L
封裝:OM-1230-4L電話咨詢:86-755-83294757
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