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IPG20N04S4L-18A是一款 N溝道功率MOSFET，屬于 OptiMOS? T2 系列，采用 TDSON-8（PG-TDSON-8）封裝。該器件具有 低導(dǎo)通電阻（RDS(on)） 和 高電流承載能力，適用于 高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)自動(dòng)化 等應(yīng)用。

IPG20N04S4L-18A 核心特性

低導(dǎo)通電阻：4mΩ @ 10V VGS（典型值），降低功率損耗。

連續(xù)漏極電流（ID）：20A（Ta） / 60A（Tc）。

峰值脈沖電流（IDRM）：150A（短時(shí)脈沖）。

低柵極電荷（Qg）：12nC @ 10V，減少開關(guān)損耗。

工作溫度范圍：-55°C ~ +175°C（TJ）。

符合AEC-Q101汽車級(jí)認(rèn)證，適用于嚴(yán)苛環(huán)境。

綠色環(huán)保：RoHS 合規(guī)，無鉛設(shè)計(jì)。

規(guī)格參數(shù)

型號(hào)：IPG20N04S4L-18A

品牌：Infineon（英飛凌）

封裝：TDSON-8（PG-TDSON-8）

通道類型：N溝道增強(qiáng)型

漏源電壓（VDS）： 40V

連續(xù)漏極電流（ID）： 20A（Ta） / 60A（Tc）

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）： 4mΩ @ 10V（典型值）

柵極電荷（Qg）： 12nC @ 10V

輸入電容（Ciss） ：1990pF @ 25V

柵源電壓（VGS）： ±20V（最大）

閾值電壓（VGS(th)）： 2.2V @ 15μA

功率耗散（PD）： 41W（最大值）

工作溫度范圍： -55°C ~ +175°C（TJ）

符合標(biāo)準(zhǔn)：RoHS、無鉛、AEC-Q101（汽車級(jí)）

包裝方式：卷帶（Tape & Reel）

• 1.平臺(tái)上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

• 2.公司商品都是原裝正品嗎？

  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來溝通確認(rèn)。

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