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BSC016N06NSSC：60V，OptiMOS ? 5 功率MOSFET晶體管，采用 SuperSO8 DSC 封裝，具有雙面冷卻功能，可增強熱性能。

【產(chǎn)品詳情】

BSC016N06NSSC——OptiMOS ? 5 功率 MOSFET 60 V 采用 SuperSO8 DSC（雙面冷卻）封裝，具有雙面冷卻的熱優(yōu)勢和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的尺寸。MOSFET 芯片產(chǎn)生的熱量約有 30% 通過頂部傳遞，傳遞到 PCB 的熱量較少，因此，在相同功率耗散的情況下，PCB 的運行溫度更低，從而提高可靠性，或者 MOSFET 可以處理更多功率，從而實現(xiàn)更高的功率密度。

型號：BSC016N06NSSC

封裝：PG-WSON-8

類型：功率MOSFET晶體管

BSC016N06NSSC 產(chǎn)品屬性：

系列：OptiMOS?

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：234A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.6 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 95μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：95 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6500 pF @ 30 V

功率耗散（最大值）：167W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8

封裝/外殼：8-PowerTDFN

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