商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
IPT023N10NM5LF2:100V、2.3mΩ、243A OptiMOS? 5 單 N 溝道線性 FET 2 晶體管
型號(hào):IPT023N10NM5LF2
封裝:PG-HSOF-8
類型:OptiMOS? 5 單N-通道MOSFET晶體管
IPT023N10NM5LF2 是 100V、2.3mΩ、243A OptiMOS? 5 單 N 溝道線性 FET 2 晶體管,采用 TOLL 封裝。OptiMOS? 5 線性 FET 2 技術(shù)實(shí)現(xiàn)了導(dǎo)通電阻和線性模式能力之間的最佳權(quán)衡。結(jié)合 TOLL 封裝,IPT023N10NM5LF2 適用于電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的浪涌電流保護(hù),例如熱插拔、電子保險(xiǎn)絲和電池保護(hù)。
IPT023N10NM5LF2 - 產(chǎn)品規(guī)格:
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-HSOF-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 243 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.9 V
Qg-柵極電荷: 115 nC
最小工作溫度: - 55℃
最大工作溫度: + 175℃
Pd-功率耗散: 300 W
應(yīng)用:
電池管理系統(tǒng)
電信基礎(chǔ)設(shè)施
服務(wù)器電源
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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