商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
BSC093N15NS5——150V,OptiMOS? N-通道功率 MOSFET 晶體管,PG-TDSON-8
型號(hào):BSC093N15NS5
封裝:PG-TDSON-8
類型:功率 MOSFET 晶體管
概述:BSC093N15NS5 是新型 OptiMOS? 5 150 V 功率 MOSFET 晶體管,特別適用于叉車和電動(dòng)摩托車等低壓驅(qū)動(dòng)以及電信和太陽(yáng)能應(yīng)用。
BSC093N15NS5——產(chǎn)品屬性:
系列:OptiMOS?
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):87A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):8V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):9.3 毫歐 @ 44A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.6V @ 107μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):40.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):3230 pF @ 75 V
功率耗散(最大值):139W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8-7
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
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