商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
FF8MR12W1M1HS4PB11 是 EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,電壓為 1200 V,G1 為 8 mΩ,集成了 NTC 溫度傳感器、PressFIT 觸點技術(shù)和氮化鋁陶瓷。
FF8MR12W1M1HS4PB11 的特點
同類最佳,高度為 12.25 毫米
領(lǐng)先的 WBG 材料
極低的模塊雜散電感
增強型 CoolSiC? 第一代 MOSFET
采用增強型 1 溝道技術(shù)
更大的柵極驅(qū)動電壓窗口
電壓窗口為 15 至 18 V 和 0 至 -5 V
擴展的最大柵極-源極電壓
柵極-源極電壓為 +23 V 和 -10 V
Tvjop:過載條件高達 175°C
集成 NTC 溫度傳感器
FF8MR12W1M1HS4PB11 的優(yōu)勢
出色的模塊效率
系統(tǒng)成本優(yōu)勢
提高系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
實現(xiàn)更高頻率
提高功率密度
DCB 材料的導(dǎo)熱性
FF8MR12W1M1HS4PB11 的應(yīng)用
儲能系統(tǒng)
電動汽車充電
燃料電池 DC-DC 升壓轉(zhuǎn)換器
光伏
不間斷電源 (UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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