商品名稱:碳化硅 MOSFET 模塊
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:模塊
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
FF4000UXTR33T2M1:3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊
型號(hào):FF4000UXTR33T2M1(碳化硅 MOSFET 模塊)
封裝:模塊
類型:XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊
FF4000UXTR33T2M1 是3.3kV,4.0 mΩ,XHP? 2 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊,采用 .XT 互聯(lián)技術(shù),用于交通領(lǐng)域的去碳化。
FF4000UXTR33T2M1 - 產(chǎn)品規(guī)格:
系列:XHP?2
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:2 個(gè) N 通道(半橋)
漏源電壓(Vdss):3300V(3.3kV)
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):500A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):4.8 毫歐 @ 500A,15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.55V @ 450mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):2500nC @ 15V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):101000pF @ 1800V
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
應(yīng)用:
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電解槽制氫
牽引
太陽能系統(tǒng)解決方案
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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