商品名稱:MOSFET 晶體管
品牌:IXYS
年份:24+
封裝:TO-252-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IXTY2P50PA - 500V P-溝道增強(qiáng)型 PolarP? MOSFET 晶體管
產(chǎn)品屬性
技術(shù): 硅
安裝方式:SMD/SMT
封裝/外殼:DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性:P 溝道
通道數(shù):1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:500 V
Id - 漏極連續(xù)電流:2 A
Rds On - 漏極-源極電阻:4.2 歐姆
Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:4.5 V
Qg - 柵極電荷:11.9 nC
Pd - 功率耗散:58 W
通道模式:增強(qiáng)
IXTY2P50PA - 引腳分布圖(TO-252)
特性和優(yōu)點(diǎn):
通過 AEC Q101 認(rèn)證
雪崩額定值
堅(jiān)固的 PolarPTM 工藝
低封裝電感
易于安裝
節(jié)省空間
應(yīng)用:
高壓側(cè)開關(guān)
推挽放大器
直流斬波器
自動(dòng)測試設(shè)備
電流調(diào)節(jié)器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機(jī)等。業(yè)務(wù)分布于消費(fèi)、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點(diǎn)為高壓、高功率,涵蓋了…
IXFX230N20T
IXFX230N20T是一款高性能功率 MOSFET,專為高電流和高電壓應(yīng)用設(shè)計(jì)。VUO36-16NO8
VUO36-16NO8是一款高性能三相橋式整流器,專為高電壓、高電流的應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。IXSH80N120L2KHV
IXSH80N120L2KHV是一款1200 V 碳化硅功率 MOSFET 晶體管,其導(dǎo)通電阻(RDS(on))為30mΩ,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下,器件的電阻較小,有助于減少能量損耗。該IXSH80N120L2KHV器件適用于需要高效率、快速開關(guān)和低損耗的應(yīng)用,如車載充電器、電動(dòng)汽車/混合動(dòng)力汽車的DC/DC變換…IXSH40N120L2KHV
IXSH40N120L2KHV是一款工業(yè)級SiC MOSFET,其耐壓值為1200V,具有低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)特性,適用于高功率應(yīng)用場景。IXSH40N120L2KHV具有較低的導(dǎo)通電阻,有助于減少能量損耗,提高系統(tǒng)效率?。技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品:IXSH40N120L2KHV封裝 / 箱體:TO-247-4L晶體管極性:N-Channel…IXSA80N120L2-7
IXSA80N120L2-7是一款工業(yè)級、單開關(guān)SiC MOSFET,具有低損耗、快速切換的特性,適用于高速度工業(yè)開關(guān)模式電源供應(yīng)。主要特性低導(dǎo)通損耗?:IXSA80N120L2-7的導(dǎo)通損耗非常低,具體為30m?。低柵極驅(qū)動(dòng)功率要求?:柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為-3/+15到18V。低熱管理需求?:該MOSFE…IXSA40N120L2-7
IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET(SiC MOSFET),具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關(guān)行為。應(yīng)用領(lǐng)域IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場景,包括:太陽能逆變器開關(guān)模式電源不間斷電源電機(jī)驅(qū)動(dòng)DC/DC轉(zhuǎn)換器電動(dòng)汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施感應(yīng)加熱…電話咨詢:86-755-83294757
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