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FDMC007N08LCDC - 80V、6.8mΩ N 溝道屏蔽柵功率 Trench? MOSFET 晶體管

型號：FDMC007N08LCDC

封裝：8-PQFN

類型：MOSFET 晶體管

描述：MOSFET - N 溝道屏蔽門 POWER TRENCH 80V，6.8mΩ

產(chǎn)品概覽

FDMC007N08LCDC - 這款 N 溝道 MV MOSFET 采用先進的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)，該工藝采用了屏蔽門技術(shù)。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導(dǎo)通電阻，同時保持同類軟體二極管的性能。

產(chǎn)品特性

- 屏蔽柵 MOSFET 技術(shù)

- VGS = 10 V、ID = 22 A 時，最大 RDS（導(dǎo)通）= 6.8 m

- VGS = 4.5 V 時最大 RDS(on) = 11.1 m，ID = 18 A

- 5 V 驅(qū)動能力

- Qrr 比其他 MOSFET 供應(yīng)商低 50

- 降低開關(guān)噪聲/EMI

- MSL1 強大的封裝設(shè)計

- 100% 通過 UIL 測試

應(yīng)用

- 初級 DC-DC MOSFET

- DC-DC 和 AC-DC 中的同步整流器

- 電機驅(qū)動

- 太陽能

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