深圳市明佳達電子有限公司 [供應，回收] MMA043PP4 (Microchip) GaAs pHEMT MMIC 寬帶低噪聲放大器概述：MMA043PP4 是一款砷化鎵（GaAs）偽非晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）低噪聲寬帶放大器，采用 4mm 4mm 無引線表面貼裝封裝，工作頻率為 0.5GHz 至 12GHz。MMA043PP4 …
深圳市明佳達電子有限公司 [供應，回收] MMA043PP4 (Microchip) GaAs pHEMT MMIC 寬帶低噪聲放大器
概述：
MMA043PP4 是一款砷化鎵（GaAs）偽非晶高電子遷移率晶體管（pHEMT）低噪聲寬帶放大器，采用 4mm × 4mm 無引線表面貼裝封裝，工作頻率為 0.5GHz 至 12GHz。
MMA043PP4 放大器的增益為 16 dB，噪聲系數(shù)為 2.0 dB，輸出 IP3 為 28 dBm，輸出 P1dB 為 17 dBm，而 5 V 電源電流僅為 55 mA。+17 dBm 的 P1dB 輸出功率使 LNA 能夠用作平衡、I/Q 或圖像抑制混頻器的 LO 驅(qū)動器。射頻端口內(nèi)部匹配為 50 Ω。
以下是 MMA043PP4 器件的主要特性：
砷化鎵 pHEMT LNA 單片微波集成電路 (MMIC)
低噪聲：0.5 GHz 至 6 GHz 范圍內(nèi)為 1.5 dB
高增益：16 dB
寬帶性能 0.5 千兆赫至 12 千兆赫
出色的 P1dB 輸出功率：17 dBm
高 OIP3：28 dBm
50 Ω 匹配輸入/輸出
緊湊型 24 引線 4 mm × 4 mm × 1.2 mm QFN 封裝
MMA043PP4 器件專為以下應用而設計：
測試儀器
寬帶通信
無線基礎設施
寬帶微波無線電
MMA043PP4 - 應用電路原理圖：
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