深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管,8-WDFN產(chǎn)品描述NVTFS027N10MCLTAG 是汽車功率 MOSFET 晶體管,采用 3x3mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)翼選件。通過(guò) A…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 [ON] NVTFS027N10MCLTAG 100V 單 N 溝道功率 MOSFET 晶體管,8-WDFN
產(chǎn)品描述
NVTFS027N10MCLTAG 是汽車功率 MOSFET 晶體管,采用 3x3mm 扁平引線封裝,專為緊湊型高效設(shè)計(jì)而設(shè)計(jì),具有高散熱性能。提供用于增強(qiáng)光學(xué)檢測(cè)的可潤(rùn)濕側(cè)翼選件。通過(guò) AEC-Q101 認(rèn)證的 MOSFET 和 PPAP 適用于汽車應(yīng)用。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):100 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):7.4A(Ta),28A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):26 毫歐 @ 7A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3V @ 38μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):11.5 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):800 pF @ 50 V
功率耗散(最大值):3.1W(Ta),46W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:8-WDFN(3.3x3.3)
封裝/外殼:8-PowerWDFN
產(chǎn)品特性
占用空間?。?x3 毫米)
低 RDS(導(dǎo)通)
低 QG 和電容
提供可潤(rùn)濕側(cè)翼選項(xiàng)
符合 RoHS 規(guī)范
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時(shí)間:2025-05-10
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