商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
【IPW60R018CFD7】600V,CoolMOS? CFD7 SJ 功率 MOSFET 晶體管,PG-TO247-3
IPW60R018CFD7 規(guī)格參數(shù):
系列:CoolMOS? CFD7
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):600 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):101A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):18 毫歐 @ 58.2A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.5V @ 2.91mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):251 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):9901 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):416W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-3
封裝/外殼:TO-247-3
IPW60R018CFD7 產(chǎn)品特性:
CoolMOS ? 7 系列
低柵極電荷
低存儲(chǔ)能量 COSS
低 Qrr
軟開(kāi)關(guān)效率高
MOSFET 適合硬諧振拓?fù)?/span>
相關(guān)信息:
600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET 采用了英飛凌的高壓超結(jié) MOSFET 技術(shù),集成了快速體二極管,是CoolMOS? 7系列的新一代產(chǎn)品。CoolMOS ? CFD7 具有降低的柵極電荷 (Qg) 和改善的關(guān)斷行為,與競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比,反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 降低了 69%,并且具有市場(chǎng)上最低的反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
PG-TSDSON-8
5000
OptiMOS? 6 40V 功率MOSFET,融合業(yè)界領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻與卓越的開(kāi)關(guān)性能
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