商品名稱:FGH20N60SFDTU
數(shù)據(jù)手冊:FGH20N60SFDTU.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
安森美半導(dǎo)體的場截止 IGBT 采用新型場截止 IGBT 技術(shù),為太陽能逆變器、UPS、焊接機(jī)和 PFC 等低導(dǎo)通和開關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用。
特性
高電流能力
低飽和電壓: VCE(sat) =2.2V @ IC = 20A
高輸入阻抗
快速開關(guān): EOFF =8uJ/A
符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
FGH20N60SFDTU 產(chǎn)品屬性
IGBT 類型: 場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值): 600 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值): 40 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm) :60 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值): 2.8V @ 15V,20A
功率 - 最大值: 165 W
開關(guān)能量: 370μJ(開),160μJ(關(guān))
輸入類型: 標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷: 65 nC
25°C 時 Td(開/關(guān))值: 13ns/90ns
測試條件: 400V,20A,10 歐姆,15V
反向恢復(fù)時間 (trr): 34 ns
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝: TO-247-3
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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