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STW48NM60N是一款N溝道功率MOSFET，采用第二代MDmesh? II技術(shù)，具有600V高耐壓和44A連續(xù)漏極電流能力，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及工業(yè)應(yīng)用。該器件采用TO-247封裝，具有低導(dǎo)通電阻（0.055Ω典型值）和低柵極電荷，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率。

STW48NM60N 特性

高耐壓：600V漏源極擊穿電壓，適用于高壓應(yīng)用。

低導(dǎo)通電阻：典型值0.055Ω，降低導(dǎo)通損耗。

高電流能力：連續(xù)漏極電流 44A。

脈沖電流可達(dá)：48A。

低柵極電荷：124nC，減少驅(qū)動(dòng)損耗。

快速開(kāi)關(guān)速度：上升時(shí)間18ns，下降時(shí)間25.5ns，適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

寬溫度范圍：-55°C ~ +150°C，適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境。

100%雪崩測(cè)試，確保高可靠性。

STW48NM60N 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 39 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 70 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 124 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 255 W

通道模式: Enhancement

商標(biāo)名: MDmesh

STW48NM60N 應(yīng)用

切換應(yīng)用

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