商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TO220-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:4000 件
IPA80R1K4P7是英飛凌 800V CoolMOS? P7系列超結(jié)MOSFET,采用TO-220-3F封裝,專為低功率開關(guān)電源(SMPS)應(yīng)用優(yōu)化,如適配器、充電器、LED驅(qū)動器和工業(yè)電源。該器件基于先進(jìn)的超級結(jié)技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)效率和出色的熱性能,可顯著提升系統(tǒng)能效和功率密度。
IPA80R1K4P7特點(diǎn)
?業(yè)界領(lǐng)先的FOMRDS(on)*Eoss;降低Qg、Ciss和Coss
?業(yè)界領(lǐng)先的DPAKRDS(on)
?業(yè)界領(lǐng)先的V(GS)th為3V,且V(GS)th變化范圍最小為±0.5V
?集成齊納二極管ESD保護(hù)
?完全符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),適用于工業(yè)應(yīng)用
?完全優(yōu)化的產(chǎn)品組合
IPA80R1K4P7優(yōu)勢
?最佳性能
?支持更高功率密度設(shè)計,降低BOM成本和組裝成本
?易于驅(qū)動和并聯(lián)
?降低ESD相關(guān)故障,提高生產(chǎn)良率
?通過減少ESD相關(guān)故障提升生產(chǎn)良率
?減少生產(chǎn)問題并降低現(xiàn)場返修率
?便于選擇合適器件以精細(xì)調(diào)整設(shè)計
IPA80R1K4P7潛在應(yīng)用
?適用于LED照明、低功耗充電器和適配器、音頻、輔助電源及工業(yè)電源的硬開關(guān)和軟開關(guān)反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。也適用于消費(fèi)類應(yīng)用和太陽能中的PFC階段。
型號
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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FP75R12KT4-B16 是英飛凌推出的 IGBT 功率模塊,屬于 EconoPIM? 3 系列,采用 三相反相器配置,適用于 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、變頻器、UPS 電源 等高功率應(yīng)用。FP75R12KT4B16
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F3L600R10W4S7F-C22 帶有 TRENCHSTOP? IGBT7 和 CoolSiC? 肖特基二極管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK? 模塊特征? 電氣特性- VCES = 950 V- IC 標(biāo)稱 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二極管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C? 機(jī)械特性- CTI >FF900R17ME7-B11
FF900R17ME7-B11搭載TRENCHSTOP? IGBT7 第七代發(fā)射極控制二極管、NTC、PressFIT壓接技術(shù),還可預(yù)涂熱界面材料(TIM)。FF900R17ME7-B11具有最高功率密度,出類拔萃的VCE,sat,過載時Tvj op = 175C,優(yōu)化開關(guān)損耗,增強(qiáng)dv/dt可控性,改善二極管軟度和Erec損耗,增強(qiáng)對宇宙…電話咨詢:86-755-83294757
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