商品名稱:SDRAM?
品牌:SK hynix
年份:25+
封裝:FCBGA-96
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件

H5ANAG6NCJR-XNC 是由(SK Hynix)制造的 DDR4 DRAM 內(nèi)存,工作溫度為 0 至 85°C 。它具有 16Gb 的內(nèi)存容量,組織為 1Gx16,采用符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的 BGA-96 球封裝。數(shù)據(jù)速率指定為 3200 MT/s,最大時鐘速度為 1600 MHz。
性能參數(shù)
存儲容量:16Gb
架構(gòu):1x16
速率:3200Mbps
?工作電壓?:1.2V
?工作溫度范圍?:0°C至85°C?
?電源電壓?:1.2V?
封裝類型?:FCBGA
應(yīng)用場景
H5ANAG6NCJR-XNC適用于需要高密度內(nèi)存和大帶寬的應(yīng)用場景,如服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心等。其內(nèi)部數(shù)據(jù)路徑采用流水線設(shè)計,支持8位預(yù)取,能夠?qū)崿F(xiàn)非常高的帶寬?。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
SK hynix
FBGA-200
1000
Mem-SDRAM-Lpddr4, 16Gb(2Gb), 2Chx16, 3733Mbps, FBGA-200 (15.1X10.1)mm X 1mm Max H
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H9HCNNNBKUMLHR-NMOR
H9HCNNNBKUMLHR-NMOR是SK海力士推出的低功耗LPDDR4 SDRAM,主要面向智能手機、平板電腦、車載信息娛樂系統(tǒng)等移動設(shè)備。
HMAA8GR7CJR4N-XN
SK Hynix HMAA8GR7CJR4N-XN 64GB DDR4-3200/PC4-25600 RDIMM 288 針 CL22 雙排 x4 ECC 寄存內(nèi)存模塊。
HMCG84MEBQA115N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…
HMCG84MEBQA174N
概述:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG84MEBQA174N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…
HMCG88MEBRA115N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA115N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…
HMCG88MEBRA113N
說明:SK hynix推出了全球首款DDR5 DRAM,并推出了基于16Gb或24Gb DDR5的16-256GB容量RDIMM,與引領(lǐng)下一代內(nèi)存模塊解決方案的DDR4 RDIMMs相比,性能大幅提升。HMCG88MEBRA113N —— 32GB 雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM雙列直插式內(nèi)存模塊詳細參數(shù)類型:DDR5 Module RDIMM密度:32…電話咨詢:86-755-83294757
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