商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TO247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:24000 件
IPW65R110CFD是 N溝道功率MOSFET,屬于 CoolMOS? CFD2系列,采用 TO-247-3封裝,適用于 高壓、高電流開關(guān)應(yīng)用。該器件具有 650V漏源電壓(V<sub>DS</sub>) 和 31.2A連續(xù)漏極電流(I<sub>D</sub>),并采用 先進(jìn)的硅基MOSFET技術(shù),提供 低導(dǎo)通電阻(R<sub>DS(on)</sub> = 99mΩ) 和 快速開關(guān)特性,適用于 工業(yè)電源、太陽能逆變器、電動(dòng)汽車充電樁等高效能應(yīng)用。
IPW65R110CFD 特性
采用集成快速體二極管的 650V 技術(shù)
硬換向期間電壓過沖有限
與 600V CFD 技術(shù)相比,Qg 顯著降低
更大的 RDS(on) 最大值到 RDS(on) 典型值窗口
易于設(shè)計(jì)
價(jià)格低于 600V CFD 技術(shù)
IPW65R110CFD 優(yōu)勢(shì)
由于體二極管重復(fù)換向時(shí)的 Qrr 較低,因此開關(guān)損耗較低
自限制 di/dt 和 dv/dt
低 Qoss
縮短接通和斷開延遲時(shí)間
出色的 CoolMOS? 質(zhì)量
IPW65R110CFD 潛在應(yīng)用
電信
服務(wù)器
太陽能
HID 燈鎮(zhèn)流器
LED 照明
電子移動(dòng)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A:FM4 S6E2H系列MCU——160MHz,32位單核 Arm Cortex-M4微控制器(MCU),F(xiàn)BGA-121型號(hào):S6E2H46G0AGB3000A封裝:FBGA-121類型:32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性:核心處理器:ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:160MHz連接能力:C…2EDN8534F
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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