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NVGS3443T1G 是一款高性能P溝道MOSFET，適用于多種電源管理和信號(hào)控制應(yīng)用。該芯片采用TSOP-6封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于汽車電子、電源管理和電池管理系統(tǒng)。

NVGS3443T1G 技術(shù)規(guī)格

類型：P溝道MOSFET

漏源電壓（Vdss）：-20V

連續(xù)漏極電流（Id）：最高可達(dá)4.4A（Ta=25°C）

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：65mΩ（@4.5V，4.4A）

工作溫度范圍：-55°C至+150°C（Tj）

封裝形式：TSOP-6

其他特性：

閾值電壓（Vgs(th)）：1.5V

柵極電荷（Qg）：7.5nC（@4.5V）

輸入電容（Ciss）：565pF（@5V）

反向傳輸電容（Crss）：120pF

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