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TW030N120C,S1F（1200V）第三代碳化硅MOSFET器件專為開關(guān)電壓調(diào)節(jié)器應(yīng)用而設(shè)計。該MOSFET有助于降低功耗和提高功率密度。此外輸入電容（CISS）為2925pF（典型值），低柵極輸入電荷（Qg）為82 nC（典型值）和漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）僅為40  mΩ（典型值）。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：40 毫歐 @ 30A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 13mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：82 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：2925 pF @ 800 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：249W（Tc）

工作溫度：175°C

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247

封裝/外殼：TO-247-3

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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