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SCT3080KLGC11是1200V 31A的Nch SiC功率MOSFET。

器件屬性：

FET 類型： N 通道  

技術： SiCFET（碳化硅）  

漏源電壓（Vdss）： 1200 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：31A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 104 毫歐 @ 10A，18V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 5mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 60 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +22V，-4V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 785 pF @ 800 V  

FET 功能： -  

功率耗散（最大值）： 165W（Tc）  

工作溫度： 175°C（TJ）  

安裝類型：通孔  

供應商器件封裝： TO-247N  

封裝/外殼： TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號： SCT3080 

特點：

低導通電阻

開關速度快

快速的反向恢復

易于并聯(lián)

驅動簡單

無鉛鍍層；符合RoHS標準

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