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商品名稱(chēng):氮化鎵晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG?HDSOP?16
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IGLT65R110D2氮化鎵功率晶體管可提高高頻工作時(shí)的效率。作為 CoolGaN? 650 V G5 系列的一部分,它符合最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn),實(shí)現(xiàn)了具有卓越效率的高可靠性設(shè)計(jì)。它采用頂部冷卻 TOLT 封裝,專(zhuān)為各種工業(yè)應(yīng)用中的最佳功率耗散而設(shè)計(jì)。
特性(IGLT65R110D2)
650 V 電子模式功率晶體管
超快開(kāi)關(guān)
無(wú)反向恢復(fù)電荷
可反向傳導(dǎo)
低柵極電荷、低輸出電荷
卓越的換向堅(jiān)固性
低動(dòng)態(tài) RDS(on)
高 ESD 魯棒性:2 kV HBM - 1 kV CDM
頂部冷卻封裝
通過(guò) JEDEC 認(rèn)證(JESD47、JESD22)
優(yōu)勢(shì)(IGLT65R110D2)
支持高工作頻率
實(shí)現(xiàn)最高系統(tǒng)效率
實(shí)現(xiàn)超高功率密度設(shè)計(jì)
支持節(jié)省 BOM 成本
規(guī)格(IGLT65R110D2)
產(chǎn)品種類(lèi): GaN 場(chǎng)效應(yīng)晶體管
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-HDSOP-16
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V
Id-連續(xù)漏極電流: 15 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 140 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.6 V
Qg-柵極電荷: 3.4 nC
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 150 C
應(yīng)用(IGLT65R110D2)
用于電信基礎(chǔ)設(shè)施的 AC-DC 電源轉(zhuǎn)換
數(shù)據(jù)中心和計(jì)算解決方案
電動(dòng)汽車(chē)充電
工業(yè)電源
光伏
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠(chǎng)或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開(kāi)關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線(xiàn) SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線(xiàn) SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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