商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1680 件
功率 MOSFET IQD016N08NM5CGSC 具有 1.57 mOhm 的低 RDS(on),同時具有出色的熱性能,便于管理功率損耗。中心柵基底面針對并行化進行了優(yōu)化。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率提高了五倍。
IQD016N08NM5CGSC特征
最先進的 80 V 硅技術(shù)
出色的 FOM
改進的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
中心柵極基底面
行業(yè)標準封裝
IQD016N08NM5CGSC優(yōu)勢
最佳開關(guān)性能
傳導損耗最小
快速開關(guān)
降低電壓過沖
提高最大電流能力
需要并聯(lián)的器件更少
5x6 基底面上的 RDS(on) 最低
易于熱管理
IQD016N08NM5CGSC應(yīng)用
低壓驅(qū)動
電動工具
電源
服務(wù)器電源
汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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