商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 8x8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1250 件
GS-065-018-2-L-MR是一款增強(qiáng)型硅基 GaN 功率晶體管。采用 8x8 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管,可實(shí)現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用所需的理想功耗。
GS-065-018-2-L-MR——表面貼裝型 N 通道 650 V 18A(Tc) 8-PDFN(8x8)
FET 類型: N 通道
技術(shù): GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 18A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 110 毫歐 @ 5.5A,6V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 4.8mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 4 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 132 pF @ 400 V
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-PDFN(8x8)
封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
S6E2H46G0AGB3000A:FM4 S6E2H系列MCU——160MHz,32位單核 Arm Cortex-M4微控制器(MCU),F(xiàn)BGA-121型號(hào):S6E2H46G0AGB3000A封裝:FBGA-121類型:32位單核微控制器ICS6E2H46G0AGB3000A 產(chǎn)品屬性:核心處理器:ARM Cortex-M4F內(nèi)核規(guī)格:32 位單核速度:160MHz連接能力:C…2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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