AR0234CSSC28SUKA0-CP2傳感器是200萬像素CMOS數(shù)字圖像傳感器,具有1/2.6英寸和1920 x 1200像素陣列。該傳感器采用創(chuàng)新的全局快門像素設計,以每秒120倍幀的精確捕獲,可在各種照明條件下提供清晰的低噪聲圖像。
規(guī)格
類型:CMOS數(shù)字圖像傳感器
圖象大?。?920 H x 1200 V
分辨率:2.3 Megapixels
每秒幀數(shù):120 fps
像素大小 - 寬x高:3 um x 3 um
封裝 / 箱體:ODCSP-83
封裝:Tray
商標:onsemi
濕度敏感性:Yes
安裝風格:SMD/SMT
光學格式:1/2.6 in
產品類型:Image Sensors
系列:AR0234CS
應用:
手勢識別
3D掃描
位置追蹤
機器視覺
增強現(xiàn)實(AR)/虛擬現(xiàn)實(VR)/混合現(xiàn)實(MR)/擴展現(xiàn)實(XR)
住宅/樓宇門禁控制
條碼掃描
自主移動
生物識別
商業(yè)監(jiān)視
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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