AR0820ATSC18XMEA0-DRBR是一款1/2英寸CMOS數(shù)字圖像傳感器,具有3848H x 2168V有源像素陣列。這種先進(jìn)的車用傳感器可以在線性或高動態(tài)范圍內(nèi)捕獲圖像,并具有卷簾快門讀出功能。
AR0820AT傳感器針對微光和嚴(yán)苛條件的高動態(tài)范圍場景性能進(jìn)行了優(yōu)化,采用2.1 μm DR-Pix BSI像素和片上140dB HDR捕獲能力。
特性
采用DR?Pix?技術(shù)的高性能2.1 μm車規(guī)級背照式(BSI)像素
先進(jìn)的片上HDR重建,提供靈活的曝光率控制
快速捕捉3840 x 2160的全分辨率視頻,3次曝光的HDR時速度為40fps,4次曝光的HDR速度為30fps
交錯并聯(lián)T1/T2/T3/T4輸出
傳感器故障檢測功能,符合ASIL B級標(biāo)準(zhǔn)
2 x 2像素內(nèi)合并模式和色彩合并模式
數(shù)據(jù)接口:1.8 Gbps/端口,4端口 MIPI CSI-2
可選擇自動或用戶控制的黑電平控制
可在多達(dá)4個上下文之間進(jìn)行幀到幀切換,以實(shí)現(xiàn)多功能系統(tǒng)
支持多機(jī)位同步
多種CFA選項(xiàng),包括RGB、RCCC和RCCB
無鉛設(shè)備
應(yīng)用:
前視ADAS
環(huán)繞式感應(yīng)攝像頭
座艙
機(jī)器人出租車
派送機(jī)器人
自動駕駛卡車
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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