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C3M0280090J是一款900 V碳化硅功率MOSFET，具有寬爬電距離以及漏極和源極之間的間隙距離(~8mm)。該器件針對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。典型應(yīng)用包括：可再生能源、照明、高壓DC/DC轉(zhuǎn)換器、電信電源和感應(yīng)加熱。

C3M0280090J的規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：900 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：360 毫歐 @ 7.5A，15V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1.2mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：9.5 nC @ 15 V

Vgs（最大值）：+18V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：150 pF @ 600 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：TO-263-7

封裝/外殼：TO-263-8，D2PAK（7 引線 + 凸片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號：C3M0280090

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