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NVHL060N065SC1 EliteSiC MOSFET是一款650V、60mΩ（典型值）、47A單N溝道MOSFET，采用緊湊、高效的設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)高的熱性能。該MOSFET采用 全新的技術(shù)，與硅器件相比，具有更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。此外，低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸可確保低電容和低柵極電荷。典型應(yīng)用包括汽車車載充電器和電動汽車 (EV) 直流/直流轉(zhuǎn)換器。

NVHL060N065SC1的規(guī)格：

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值：2 S

Id-連續(xù)漏極電流：47 A

最大工作溫度：+ 175°C

最小工作溫度：- 55°C

安裝風(fēng)格：Through Hole

通道數(shù)量：1 Channel

封裝 / 箱體：TO-247-3

封裝：Tube

Pd-功率耗散：176 W

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

Qg-柵極電荷：74 nC

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：44 mOhms

上升時間：32 ns

系列：NVHL060N065SC1

工廠包裝數(shù)量：450

子類別：Transistors

技術(shù)：SiC

商標(biāo)名：EliteSiC

晶體管極性：N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間：23 ns

典型接通延遲時間：12 ns

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.3 V

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