商品名稱:碳化硅MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
C2M0280120D—碳化硅功率 MOSFET C2MTM MOSFET 技術(shù) N 溝道增強模式
特點
? C2MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)
? 高阻塞電壓,低導通電阻
? 高速開關(guān),低電容
? 快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)
? 無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范
規(guī)格
FET: 類型 N 通道
技術(shù): SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss): 1200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :10A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 20V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 370 毫歐 @ 6A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.8V @ 1.25mA(典型值)
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 20.4 nC @ 20 V
Vgs(最大值): +25V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 259 pF @ 1000 V
功率耗散(最大值): 62.5W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 通孔
供應商器件封裝: TO-247-3
封裝/外殼: TO-247-3
應用
? 可再生能源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源
? 不間斷電源
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動汽車、快速充電、5G、可再生能源和存儲以及航空航天和國…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復 (Qrr)無鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點降低開關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車 N 溝道增強模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點優(yōu)化封裝,具有獨立的驅(qū)動源引腳高阻斷電壓,低導通電阻高速開關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復 (Qrr) 低無鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過汽車認證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級 HV-H3TRB 認證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應用,如感應加熱、軌道/牽引、電機驅(qū)動器和電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時電流 -…電話咨詢:86-755-83294757
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