商品名稱:柵極驅(qū)動器
品牌:ON
年份:24+
封裝:SOIC-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:10000 件
NCD57090EDWR2G IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器是大電流、單通道柵極驅(qū)動器,用于IGBT和MOSFET,具有5kVrms內(nèi)部電流隔離。NCD57090EDWR2G 在大功率應(yīng)用中提供高系統(tǒng)效率和可靠性。這些器件接受互補(bǔ)輸入,并根據(jù)引腳配置,提供有源米勒鉗位、負(fù)電源以及獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)(OUTH和OUTL)驅(qū)動器輸出等選項(xiàng),以便于系統(tǒng)設(shè)計(jì)。具有寬輸入偏置電壓范圍和3.3V至20.0V信號電平。
規(guī)范
技術(shù): 容性耦合
通道數(shù): 1
電壓 - 隔離: 5000Vrms
共模瞬變抗擾度(最小值): 100kV/μs(最大)
傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值): 90ns,90ns
脈寬失真(最大): 25ns
上升/下降時(shí)間(典型值): 13ns,13ns
電流 - 輸出高、低: 6.5A,6.5A
電流 - 峰值輸出: 6.5A
電壓 - 輸出供電: 0V ~ 32V
工作溫度: -40°C ~ 125°C
安森美NCD57090EDWR2G IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器采用緊湊型SOIC-8封裝。
典型應(yīng)用
電機(jī)控制
不間斷電源 (UPS)
汽車應(yīng)用
工業(yè)電源
太陽能逆變器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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