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商品名稱(chēng):FS150R12N2T7BPSA2
數(shù)據(jù)手冊(cè):FS150R12N2T7BPSA2.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:MODULE
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
FS150R12N2T7BPSA2 EconoPACK? 2 1200 V, 150 A六單元IGBT模塊,采用TRENCHSTOP? IGBT7、發(fā)射極控制7二極管和NTC。也可作為采用PressFIT壓接安裝工藝的型號(hào)。
特征描述
TRENCHSTOP? IGBT7
低VCEsat和低開(kāi)關(guān)損耗
過(guò)載時(shí)運(yùn)行溫度高達(dá)175°C
2.5 kV AC下 1分鐘絕緣
高可靠性和功率密度
銅基板優(yōu)化散熱
焊接技術(shù)
適用于焊接或 PressFIT 壓接工藝
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的模塊
優(yōu)勢(shì)
緊湊型模塊概念
優(yōu)化開(kāi)發(fā)周期和成本
配置靈活性
快速、可靠和低成本的安裝理念
應(yīng)用領(lǐng)域
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
伺服電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線(xiàn)、總線(xiàn)仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動(dòng)器IC,屬于EiceDRIVER? 2EDN系列,專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)標(biāo)準(zhǔn)MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶(WBG)功率開(kāi)關(guān)器件(如SiC、GaN)而優(yōu)化。IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線(xiàn) SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線(xiàn) SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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