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STL160N10F8是一款 100 V N 溝道增強型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技術設計，具有增強型溝槽柵極結構。

它確保了極低導通電阻的先進性能指標，同時降低了內部電容和柵極電荷，從而實現(xiàn)更快、更高效的開關。

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術: Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PowerFLAT-4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 158 A

Rds On-漏源導通電阻: 3.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 90 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 19 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時間: 17 ns

工廠包裝數(shù)量:  3000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關閉延遲時間: 60 ns

典型接通延遲時間: 22 ns

應用

? 服務器和電信電源

? 工業(yè)電池管理系統(tǒng) (BMS)

? 電動工具

? 無人機

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