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SCT070W120G3-4AG碳化硅功率 MOSFET 器件采用意法半導(dǎo)體先進(jìn)的創(chuàng)新型第三代 SiC MOSFET 技術(shù)。該器件在整個溫度范圍內(nèi)具有極低的 RDS(on)，同時(shí)具有低電容和極高的開關(guān)操作，從而提高了應(yīng)用在頻率、能效和系統(tǒng)性能方面的性能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiC（碳化硅結(jié)晶體管）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：30A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：87 毫歐 @ 15A，18V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.2V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：41 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+18V，-5V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：900 pF @ 850 V

功率耗散（最大值）：236W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 200°C（TJ）

等級：汽車級

資質(zhì)：AEC-Q100

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-4

封裝/外殼：TO-247-4

應(yīng)用

● 主逆變器（電力牽引）

● 用于電動汽車/混合動力汽車的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

● 車載充電器 (OBC)

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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