商品名稱:STL325N4F8AG
品牌:ST
年份:23+
封裝:8-PowerVDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STL325N4F8AG N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技術(shù),具有增強型溝槽柵結(jié)構(gòu)。它能確保極低的導(dǎo)通電阻,同時降低內(nèi)部電容和柵極電荷,從而實現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):373A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On);4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):0.75 毫歐 @ 60A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):95 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±16V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):7657 pF @ 25 V
功率耗散(最大值):188W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat?(5x6)
封裝/外殼:8-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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