商品名稱:ICE3BR4765JG
數(shù)據(jù)手冊(cè):ICE3BR4765JG.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:DSO-12
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
ICE3BR4765JG 是一款集成具有雪崩能力的 650V CoolMOS?、啟動(dòng)單元和啟動(dòng)單元和固定頻率電流模式反激 PWM 控制器,采用 DSO-12封裝。適用于 14W SMPS 設(shè)計(jì)。額外功能包括實(shí)現(xiàn)極低待機(jī)功耗的有源突發(fā)模式運(yùn)行、實(shí)現(xiàn)低 EMI 的頻率抖動(dòng)、促進(jìn)負(fù)載跳躍的可調(diào)節(jié)消隱窗口以及允許從整流線路快速啟動(dòng)控制器的高壓?jiǎn)?dòng)單元。
規(guī)格
輸出隔離:隔離
內(nèi)部開(kāi)關(guān):是
電壓 - 擊穿:650V
拓?fù)洌悍醇?/span>
電壓 - 啟動(dòng):18 V
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):10.5V ~ 27V
占空比:75%
頻率 - 開(kāi)關(guān):65kHz
功率 (W):24 W
故障保護(hù):限流,過(guò)載,超溫,過(guò)壓
控制特性:-
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
封裝/外殼:16-SOIC(0.154",3.90mm 寬),12 引線
供應(yīng)商器件封裝:PG-DSO-12-10
安裝類型:表面貼裝型
基本產(chǎn)品編號(hào):ICE3BR4765
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢:86-755-83294757
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