商品名稱:S27KS0643GABHB020
數(shù)據(jù)手冊(cè):S27KS0643GABHB020.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-FBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
S27KS0643GABHB020 偽SRAM存儲(chǔ)器IC 24FBGA IC芯片
產(chǎn)品介紹
S27KS0643GABHB020是64Mb HYPERRAM?自刷新DRAM(PSRAM),它是一種高速CMOS、自刷新DRAM,具有xSPI(八進(jìn)制)接口。該DRAM陣列使用動(dòng)態(tài)單元,需要定期刷新。
規(guī)格
存儲(chǔ)器類型:揮發(fā)性
存儲(chǔ)器格式:PSRAM
技術(shù):PSRAM (Pseudo SRAM)
存儲(chǔ)器大小:64Mbit
存儲(chǔ)器組織:8M x 8
存儲(chǔ)器接口:SPI - 八進(jìn)制I/O
時(shí)鐘頻率:200MHz
寫入周期時(shí)間 - 字,頁(yè):35ns
訪問(wèn)時(shí)間:35 ns
電壓 - 電源:1.7V ~ 2V
工作溫度:-40°C ~ 105°C (TA)
功能特點(diǎn)
200MHz的最大時(shí)鐘速率
雙向讀寫數(shù)據(jù)選通器(RWDS)
可選的DDR中心對(duì)齊讀選通(DCARS)
64Mb HYPERRAM?自刷新DRAM(PSRAM)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
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