商品名稱:NCL30486B2DR2G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NCL30486B2DR2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:9-SOIC
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
NCL30486B2DR2G 是一款針對(duì)隔離式恒流LED驅(qū)動(dòng)器的功率因數(shù)校正反激式控制器。控制器在準(zhǔn)諧振模式下工作,以提供高效率。由于采用了新穎的控制方法,該器件能夠從初級(jí)側(cè)嚴(yán)格調(diào)節(jié)恒定的LED電流。這消除了對(duì)副邊反饋電路、其偏置和光耦合器的需求。
產(chǎn)品屬性:
類型:DC DC 控制器
拓?fù)洌悍醇?/span>
內(nèi)部開(kāi)關(guān):無(wú)
輸出數(shù):1
電壓 - 供電(最低):10.2V
電壓 - 供電(最高):30V
電壓 - 輸出:8V ~ 14V
電流 - 輸出/通道:500mA
頻率:-
調(diào)光:模擬,PWM
應(yīng)用:通用
工作溫度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:10-SOP(0.154",3.90mm 寬),9 引線
供應(yīng)商器件封裝:9-SOIC
基本產(chǎn)品編號(hào):NCL30486
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ADI
MSOP16
20000
LED 驅(qū)動(dòng)器 IC 1 輸出 DC DC 控制器 反激,SEPIC,降壓,升壓 模擬,PWM 調(diào)光 16-MSOP-EP
ON
SOIC-10
5000
用于 LED 照明的 LED 驅(qū)動(dòng)器,AC-DC 功率因數(shù)校正的準(zhǔn)諧振初級(jí)側(cè)電流模式控制器,具有智能模擬/調(diào)光功能
Renesas
SOIC-14
12000
LED 驅(qū)動(dòng)器 IC 1 輸出 交直流離線開(kāi)關(guān) 反激,升壓 模擬 調(diào)光 14-SOIC
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開(kāi)關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開(kāi)關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開(kāi) SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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