商品名稱:NCV3025833MTW
數(shù)據(jù)手冊:NCV3025833MTW.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:33-WQFNW
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
NCV3025833MTW是 onsemi 經(jīng)過全面優(yōu)化的下一代產(chǎn)品、超緊湊型集成 MOSFET 加驅(qū)動(dòng)器功率級解決方案,用于高電流、高頻率、同步降壓、DC-DC應(yīng)用。集成了一個(gè)帶有自舉肖特基二極管、兩個(gè)功率 MOSFET 和一個(gè)熱監(jiān)控器集成在一個(gè)熱增強(qiáng)型超緊湊 5 mm × 5 mm 封裝中。 開關(guān)功率級采用集成方法,針對驅(qū)動(dòng)器和 MOSFET動(dòng)態(tài)性能進(jìn)行了優(yōu)化,最大限度地降低了系統(tǒng)電感和功率 MOSFET RDS(ON)。
產(chǎn)品屬性
輸出配置:半橋
應(yīng)用:DC-DC 轉(zhuǎn)換器
負(fù)載類型:電感,電容性,電阻
技術(shù):NMOS
電流 - 輸出/通道:50A
電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V
電壓 - 負(fù)載:4.5V ~ 24V
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
特性:自舉電路,二極管仿真
等級:汽車級
故障保護(hù):ESD,超溫,擊穿,UVLO
安裝類型:表面貼裝,可潤濕側(cè)翼
資質(zhì):AEC-Q100
封裝/外殼:33-PowerWFQFN
供應(yīng)商器件封裝:33-WQFNW(5x5)
應(yīng)用
● 筆記本電腦、平板電腦和超極本
● 服務(wù)器和工作站,V 核和非 V 核直流-直流轉(zhuǎn)換器
● 臺(tái)式機(jī)和一體機(jī),V 核和非 V-Core DC-DC 轉(zhuǎn)換器
● 高性能游戲主板
● 大電流直流-直流負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器
● 網(wǎng)絡(luò)和電信微處理器穩(wěn)壓器
● 小型穩(wěn)壓器模塊
● 汽車合格系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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