商品名稱:NBA3N011SSNT1G
數(shù)據(jù)手冊(cè):NBA3N011SSNT1G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:SOT-23-5
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
NBA3N011SSNT1G是一款低壓差分信號(hào)(LVDS)驅(qū)動(dòng)器,適用于低功耗和高數(shù)據(jù)速率應(yīng)用。該器件接受 LVCMOS/TTL 輸入并將其轉(zhuǎn)換為 LVDS,設(shè)計(jì)用于支持高于 400 Mbps(200 MHz)的數(shù)據(jù)傳輸速率。該驅(qū)動(dòng)器具有低 EMI 特性,典型輸出擺幅為 350 mV。任何其他 LVDS 接收器配對(duì),以實(shí)現(xiàn)高速 LVDS接口。LVDS 輸出設(shè)計(jì)為 3.5 mA(典型值)電流模式驅(qū)動(dòng)器,即使在低功耗條件下也能實(shí)現(xiàn)低功耗。
產(chǎn)品屬性
類型:驅(qū)動(dòng)器
協(xié)議:LVDS
驅(qū)動(dòng)器/接收器數(shù):1/0
數(shù)據(jù)速率:400Mbps
電壓 - 供電:3.3V
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:SC-74A,SOT-753
供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-5
應(yīng)用
● 汽車:汽車前大燈照明
● 電信:無線、微波和光學(xué)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
TI
SSOP-16
9000
具有 +/-15kV IEC-ESD 保護(hù)的 3V 至 5.5V 雙通道 250kbps RS-232 線路驅(qū)動(dòng)器/接收器
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄嚒⑼ㄐ?、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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