商品名稱:S70KL1282DPBHB033
數(shù)據(jù)手冊(cè):S70KL1282DPBHB033.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:24-VBGA
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
S70KL1282DPBHB033 是帶有 HYPERBUS? 接口的高速 CMOS 自刷新 DRAM。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動(dòng)態(tài)單元。當(dāng) HYPERBUS 接口主控器(主機(jī))不主動(dòng)讀寫(xiě)存儲(chǔ)器時(shí),器件內(nèi)的刷新控制邏輯會(huì)管理 DRAM 陣列的刷新操作。由于主機(jī)無(wú)需管理任何刷新操作,因此在主機(jī)看來(lái),DRAM 陣列就像是使用靜態(tài)單元的存儲(chǔ)器,無(wú)需刷新即可保留數(shù)據(jù)。這種存儲(chǔ)器更準(zhǔn)確的描述是偽靜態(tài) RAM(PSRAM)。
特點(diǎn)
HYPERBUS 接口
支持 1.8V / 3.0V 接口
單端時(shí)鐘 - 11 個(gè)總線信號(hào)
可選差分時(shí)鐘 - 12 個(gè)總線信號(hào)
8 位數(shù)據(jù)總線
硬件復(fù)位
雙向讀寫(xiě)數(shù)據(jù)選通
在所有事務(wù)開(kāi)始時(shí)輸出,指示刷新延遲
在讀取事務(wù)期間作為讀數(shù)據(jù)選通輸出
在寫(xiě)入事務(wù)期間作為寫(xiě)入數(shù)據(jù)屏蔽輸入
可選的 DDR 中心對(duì)齊讀取選通
在讀取事務(wù)期間,RWDS 由第二個(gè)時(shí)鐘偏移,與 CK 相移
相移時(shí)鐘用于在讀取數(shù)據(jù)眼內(nèi)移動(dòng) RWDS 轉(zhuǎn)換邊沿
最大時(shí)鐘速率為 200MHz
DDR - 在時(shí)鐘的兩個(gè)邊沿上傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá) 400MBps
可配置的突發(fā)特性
封裝突發(fā)長(zhǎng)度
混合選項(xiàng)--64Mb 上的一個(gè)包裹突發(fā)后是線性突發(fā)。不支持跨芯片邊界的線性突發(fā)。
可配置的輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Winbond
WLCSP-49
2000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-WFBGA(4x4)
INFINEON
49-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 256Mb HyperBus 200 MHz 35 ns 49-FBGA(8x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
INFINEON
24-FBGA
3000
PSRAM(偽 SRAM) 存儲(chǔ)器 IC 64Mbit SPI - 八 I/O 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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