商品名稱：FF17MR12W1M1HP
數(shù)據(jù)手冊：
FF17MR12W1M1HP.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：Module
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
FF17MR12W1M1HP IGBT模塊（帶CoolSiC? MOSFET）具有非常低的雜散電感和出色的效率，因此頻率更高、功率密度更高、冷卻要求更低。1200V、8mΩ半橋模塊采用集成NTC溫度傳感器和PressFIT觸點技術(shù)。xHP_B11型號提供熱界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推薦柵極驅(qū)動電壓范圍、+23V或-10V的最大柵極-源極電壓以及17mΩ或33mΩ的漏極-源極電阻選項。集成式安裝夾確保牢固的安裝。
特性
● 同類最佳封裝，尺寸為62.8mm x 33.8mm x 12mm（LxWxH）
● 將先進的WBG材料和簡易模塊封裝結(jié)合在一起
● 模塊雜散電感非常低
● 寬RBSOA
● 1200V CoolSiC MOSFET，采用增強型第一代溝槽技術(shù)
● 擴展的推薦柵極驅(qū)動電壓窗口：0至5V和+15V至+18V
● 擴展的最大柵極-源極電壓：+23V和-10V
● 漏極-源極導(dǎo)通電阻選項：17mΩ或33mΩ
應(yīng)用
● 高頻開關(guān)應(yīng)用
● 直流/直流轉(zhuǎn)換器
● UPS系統(tǒng)
● 電動汽車用直流充電器
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 337A（Tc），317A（Tc） 1.492kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 472A（Tc），442A（Tc） 1.846kW（Tc），1.161kW（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
10000
MOSFET - 陣列 1700V（1.7kV），1200V（1.2kV） 124A（Tc），89A（Tc） 602W（Tc），395W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 317A（Tc），227A（Tc） 1.253kW（Tc），613W（Tc） 底座安裝
Microchip
Module
1000
MOSFET - 陣列 1200V（1.2kV），700V 89A（Tc），124A（Tc） 395W（Tc），365W（Tc） 底座安裝
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2EDN8534F
2EDN8534F是英飛凌一款雙通道5A柵極驅(qū)動器IC，屬于EiceDRIVER? 2EDN系列，專為驅(qū)動標準MOSFET、超結(jié)MOSFET及寬禁帶（WBG）功率開關(guān)器件（如SiC、GaN）而優(yōu)化。
IRS2181STRPBF
IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，典型源電流為 1.9 A，灌電流為 2.3 A，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動器 IC，具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流，采用 8 引線 SOIC 封裝，適用于 IGBT 和 MOSFET。
BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開關(guān)，采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET，適用于 12V 和 24V 接地負載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
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