商品名稱:FGY75T120SQDN
數(shù)據(jù)手冊:FGY75T120SQDN.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
FGY75T120SQDN絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 采用堅固耐用、經(jīng)濟高效的超場截止溝道結(jié)構(gòu),并可提供超場截止溝道結(jié)構(gòu),在要求苛刻的開關應用中性能卓越,具有低導通電壓和最小開關損耗。IGBT非常適合 UPS 和太陽能應用。該器件中集成了一個軟、快速的共封裝自由輪二極管,其正向電壓低。
產(chǎn)品屬性
IGBT 類型:場截止
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):150 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm):300 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,75A
功率 - 最大值:790 W
開關能量:6.25mJ(開),1.96mJ(關)
輸入類型:標準
柵極電荷:399 nC
25°C 時 Td(開/關)值:64ns/332ns
測試條件:600V,75A,10 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr):99 ns
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3 變式
供應商器件封裝:TO-247-3
應用
● 太陽能逆變器
● UPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數(shù)據(jù)接收器,可接受 AnyLevelTM 輸入信號: LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ,具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能,具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗,優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT),它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結(jié)構(gòu)。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數(shù)AFGH4L25T120RW的…FGAF40N60SMD
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FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能,具有低開關和導通損耗,可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現(xiàn)高效率運行。技術規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括:配置:Single集電極—發(fā)射極…LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機預驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費類電機驅(qū)動應用設計。電話咨詢:86-755-83294757
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