商品名稱:NCV7724DQBR2G
數據手冊:NCV7724DQBR2G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:24-SSOP
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
NCV7724DQBR2G 是一款具有保護功能的八通道半橋驅動器,專為汽車和工業(yè)運動控制應用而設計。該產品具有獨立的控制和診斷功能,驅動器可以在正向、反向、制動和高阻抗狀態(tài)下工作。該器件通過16位SPI接口進行控制,并與菊花鏈兼容。輸出1和2可通過外部PWM信號進行控制。
規(guī)格
輸出配置:半橋(8)
應用:DC 電機,通用
接口:邏輯,PWM,SPI,串行
負載類型:電感,電容性
技術:NMOS
導通電阻(典型值):800 毫歐 LS,800 毫歐 HS
電流 - 輸出/通道:1.1A
電流 - 峰值輸出:1.1A
電壓 - 供電:3.15V ~ 5.25V
電壓 - 負載:3.15V ~ 5.25V
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
特性:充電泵
故障保護:過流,超溫,UVLO
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:24-LSSOP(0.154",3.90mm 寬)裸露焊盤
供應商器件封裝:24-SSOP-EP
基本產品編號:NCV7724
典型應用
?汽車
?工業(yè)
?適用于暖通空調應用的直流電機管理
型號
品牌
封裝
數量
描述
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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