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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格
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商品型號(hào):IPP019N06NF2S

商品名稱:IPP019N06NF2S

數(shù)據(jù)手冊(cè):IPP019N06NF2S.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-220-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

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公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號(hào)
IPP019N06NF2S
封裝
TO-220-3
描述
通孔 N 通道 60V 33A(Ta),185A(Tc) 3.8W(Ta),188W(Tc) PG-TO220-3-U05

產(chǎn)品描述

IPP019N06NF2S StrongIRFET? 2 60V 功率 MOSFET 具備僅為 1.9 mΩ 的極低 RDS(on),可用于從低到高開關(guān)頻率的各類應(yīng)用。


規(guī)格

FET 類型:N 通道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):60 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):33A(Ta),185A(Tc)

驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):1.9 毫歐 @ 100A,10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.3V @ 129μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):162 nC @ 10 V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):7300 pF @ 30 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.8W(Ta),188W(Tc)

工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應(yīng)商器件封裝:PG-TO220-3-U05

封裝/外殼:TO-220-3


典型應(yīng)用包括電源管理 (SMPS) 、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池供電應(yīng)用、電池管理和不間斷電源 (UPS)。


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型號(hào)

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封裝

數(shù)量

描述

BSC059N04LS6

INFINEON

PG-TDSON-8

5000

OptiMOS? 6 40 V N 溝道功率 MOSFET

BSZ440N10NS3G

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PG-TSDSON-8

40000

OptiMOS?3 功率晶體管,100V,N-通道功率MOSFET

BSZ011NE2LS5I

INFINEON

TSDSON-8

2000

1.1 m?、OptiMOS? 5 25V功率MOSFET

ISC052N03LF2S

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TDSON-8

2000

?74 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET

ISC028N03LF2S

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TDSON-8

2000

?128 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET

ISC023N03LF2S

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TDSON-8

2000

?150 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET

ISC009N03LF2S

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TDSON-8

2000

?341 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET

ISC012N03LF2S

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TDSON-8

2000

270 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET

ISC033N03LF2S

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TDSON-8

2000

108 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET

ISZ056N03LF2S

INFINEON

TSDSON-8

2000

72 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…

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