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IPF012N06NF2S StrongIRFET?2 功率MOSFET 60V具有1.2 mOhm的低RDS（ON）。典型應用包括電源管理（SMPS），適配器，電機驅動，電池供電應用，電池管理，UPS。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：41A（Ta），282A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.2 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.3V @ 186μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：233 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：10500 pF @ 30 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），250W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-7-U02

封裝/外殼：TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）

基本產品編號：IPF012

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。

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