商品名稱:NTBG1000N170M1
數據手冊:NTBG1000N170M1.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:D2PAK-7L
貨期:全新原裝
庫存數量:1000 件
安森美NTBG1000N170M1碳化硅 (SIC) MOSFET是一款采用平面技術設計的1700V M1平面MOSFET。該MOSFET具有960mΩ典型漏極至源 導通電阻 (RDS(ON))、14nC超低柵極電荷(典型值)和11pF低有效輸出電容(典型值)。
產品屬性
產品種類: MOSFET
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: D2PAK-7L
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.7 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 4.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 960 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 15 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.3 V
Qg-柵極電荷: 13.9 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 51 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 16 ns
正向跨導 - 最小值: 0.6 S
上升時間: 6 ns
典型關閉延遲時間: 10 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
典型應用
太陽能逆變器
電動汽車充電站
蓄電系統
SMPS(開關模式電源)
UPS(不間斷電源)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標準柵極驅動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復特性。這些器件非常適合電感負載開關和任何需要標準柵極驅動的應用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯 ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數:FET 類型:N 通道技術:SiC(碳化硅結晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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