商品名稱:NCP59801CML180TCG
數(shù)據(jù)手冊:NCP59801CML180TCG.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:8-VDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
NCP59801CML180TCG 是一款 1A LDO、新一代高 PSRR、低噪聲和低壓差穩(wěn)壓器,具有 Power Good 集電極開路輸出。NCP59801 器件專為滿足射頻和敏感模擬電路的要求而設(shè)計(jì),具有低噪聲、高 PSRR 和低靜態(tài)電流的特性,同時(shí)還能調(diào)節(jié)低至 0.6 V 的輸出電壓。NCP59801 可與 4.7 F 輸入和輸出陶瓷電容器配合使用。
特性
工作輸入電壓范圍 1.6 V 至 5.5 V
提供固定電壓選項(xiàng): 0.6 V 至 5.0 V
可調(diào)版本參考電壓:0.6 V
25°C 時(shí) ±0.7% 初始精度
±1% 超負(fù)載和超溫精度
低靜態(tài)電流典型值 35 A
關(guān)機(jī)電流:典型值 0.1 A
超低壓降 典型值 1 A 時(shí) 120 mV(3.3 V 變體
高 PSRR:典型值 85 dB(100 mA 時(shí)),f = 1 kHz
低噪聲:10 VRMS(固定版本)
使用 4.7 F 小外殼尺寸陶瓷電容器保持穩(wěn)定
5 mV / s 以上的可控輸出電壓漂移率
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用
通信系統(tǒng)
車載網(wǎng)絡(luò)
遠(yuǎn)程信息處理、信息娛樂和集群
通用汽車
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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