商品名稱:N34TS108C6ECT5G
數(shù)據(jù)手冊(cè):N34TS108C6ECT5G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:6-WLCSP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
N34TS108是一款數(shù)字輸出溫度傳感器,具有動(dòng)態(tài)可編程限制窗口,以及溫度過低和過高報(bào)警功能。這些特征提供了優(yōu)化的溫度控制,而不需要由控制器或應(yīng)用處理器進(jìn)行頻繁的溫度讀取。N34TS108具有SMBus和雙線接口兼容性,并允許在一條具有SMBus報(bào)警功能的總線上最多連接三個(gè)設(shè)備。
器件:N34TS108C6ECT5G
產(chǎn)品種類:溫度傳感器
傳感器類型:數(shù)字,本地
感應(yīng)溫度 - 本地:-40°C ~ 125°C
感應(yīng)溫度 - 遠(yuǎn)程:-
輸出類型:SMBus
電壓 - 供電:1.4V ~ 3.6V
分辨率:12 b
特性:單觸發(fā),可編程限值,關(guān)斷模式,待機(jī)模式
精度 - 最高(最低):±0.75°C(±1°C)
測試條件:-20°C ~ 85°C(-40°C ~ 125°C)
工作溫度:-40°C ~ 125°C
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:6-UFBGA,WLCSP
供應(yīng)商器件封裝:6-WLCSP(1.19x.79)
基本產(chǎn)品編號(hào):N34TS108
典型應(yīng)用:
? 智能手機(jī)和平板電腦散熱管理
? 電池管理
? 恒溫器控制
? 環(huán)境溫度過低和過高保護(hù)監(jiān)控和暖通空調(diào)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號(hào):ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號(hào)管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們?cè)谄?、通信、?jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級(jí)結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級(jí)結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級(jí)聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級(jí)聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng)特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號(hào):NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時(shí)電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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