商品名稱:STM32WL55CCU6
數(shù)據(jù)手冊(cè):STM32WL55CCU6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:UFQFPN-48
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
STM32WL55CCU6 32位無(wú)線遠(yuǎn)距離MCU嵌入了功能強(qiáng)大、超低功耗、符合LPWAN標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線電解決方案,可提供LoRa?、(G)FSK、(G)MSK和BPSK等各種調(diào)制。該無(wú)線MCU的功耗超低,基于高性能Arm? Cortex?-M4 32位RISC內(nèi)核(工作頻率高達(dá)48MHz)。該內(nèi)核執(zhí)行完整的DSP指令,并由Arm Cortex-M0+微控制器進(jìn)行補(bǔ)充。兩個(gè)內(nèi)核均設(shè)有獨(dú)立的內(nèi)存保護(hù)單元 (MPU),可提高應(yīng)用的安全性。
器件規(guī)格:
類型:TxRx + MCU
射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):802.15.4
協(xié)議:LoRaWAN 1.0,Sigfox
調(diào)制:BPSK,GFSK,GMSK,F(xiàn)SK,MSK
頻率:150MHz ~ 960MHz
數(shù)據(jù)速率(最大值):300kbps
功率 - 輸出:22dBm
靈敏度:-148dBm
存儲(chǔ)容量:256kB 閃存
串行接口:ADC,GPIO,I2C,SPI,IrDA,UART,USART
GPIO:29
電壓 - 供電:1.8V ~ 3.6V
電流 - 接收:4.82mA
電流 - 傳輸:21mA ~ 120mA
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:48-UFQFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝:48-UFQFPN(7x7)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國(guó)Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營(yíng)收95.6億美元; 毛利率38.7%;營(yíng)業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級(jí)溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無(wú)尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場(chǎng)運(yùn)算結(jié)構(gòu)開(kāi)發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場(chǎng)截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場(chǎng)景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場(chǎng)截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場(chǎng)截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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