商品名稱:NSV45020JZT1G
數(shù)據(jù)手冊:NSV45020JZT1G.pdf
品牌:ON
年份:23+
封裝:TO-261-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
NSV45020JZT1G 可調(diào)恒流穩(wěn)壓器是一款簡單、經(jīng)濟(jì)、堅(jiān)固耐用的器件,旨在為 LED 電流調(diào)節(jié)提供經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。
特點(diǎn)
強(qiáng)大的功率封裝:1.5 瓦
可調(diào)電流高達(dá) 40 mA
寬工作電壓范圍
立即開啟
電壓浪涌抑制 - 保護(hù) LED
通過 AEC-Q101 認(rèn)證和 PPAP 能力認(rèn)證,通過 UL94-V0 認(rèn)證
自偏壓晶體管技術(shù)
負(fù)溫度系數(shù)
消除額外調(diào)節(jié)
NSV 前綴適用于需要獨(dú)特的現(xiàn)場和控制變更要求的汽車和其他應(yīng)用;通過 AEC-Q101 認(rèn)證并可進(jìn)行 PPAP 生產(chǎn)
這些器件無鉛、無鹵素/無溴化阻燃劑,符合 RoHS 規(guī)范
應(yīng)用領(lǐng)域
汽車: 雪佛龍側(cè)鏡標(biāo)記、儀表盤、顯示屏和儀表背光、CHMSL、地圖燈
交流照明面板、顯示標(biāo)牌、裝飾照明、通道字樣
開關(guān)觸點(diǎn)潤濕
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶體管,TO-247-4型號:NVH4L050N170M1封裝:TO-247-4類型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶體管NVH4L050N170M1 規(guī)格參數(shù):FET 類型:N 通道技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)漏源電壓(Vdss):1700 V25C 時電流 - 連…電話咨詢:86-755-83294757
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